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新闻内容

    硅片清洁和抛光参数知识,你知道吗?

    这些年来,集成电路向纳米尺度发展,所以对半导体硅材料的表面性我们有着苛刻的要求,我们更加重视硅材料的完整性 均匀性 表面质量和性能检测评价,为了更加提高生产率和降低制造成本的需要,大规模的电路都在用硅材质向大尺寸方向去发展,在半导体的不断发展之下,大尺寸硅片的制造工艺问题已经成为了当前半导体材料领域的研究热点。并为纳电子集成电路的发展奠定了深厚的基础。

    方达研磨随着硅片的大尺寸发现发展,为了真正解决到硅片抛光过程中由于尺寸增大带来的平整性问题,已经将双面抛光逐渐代替单面抛光,获得集成电路用大尺寸硅抛光片,但是双面抛光过程硅片的运动状态完全不同于单面抛光,对于硅片表面对抛光的工艺参数变化更加敏感,抛光工艺更加复杂。

    硅片的清洗是集成电路制造过程中非常重要的工艺步骤,几乎每一步工艺都需要清洗。因为清洁的表面对器件的可靠性和保护性是很有必要的,当集成度和复杂度增加时,器件的尺寸就会越来越小了,从而表面的光洁度就成为了关键性的问题。

    所以为了减少碱性溶液对硅片表面的各向异性腐蚀而所以稀释的清洗液时,我们就要找到微粗糙度和颗粒去除效率之间的平衡点。

    公司在抛光液的PH值和抛光压力对于硅片的表面样貌有着很大的影响,所以我们研究新的清洗工艺,从而解决好RCA清洗过程中表面粗糙化的问题。